65納米/55納米

65納米/55納米

技術簡介

澳洲时时彩中芯國際65納米/55納米邏輯技術具有高性能,節能的優勢,並實現先進技術成本的優化及設計成功的可能性。此65納米/55納米技術的工藝元件選擇包含低漏電和超低功耗技術平台。此兩種技術平台都提供三種閾值電壓的元件以及輸入/輸出電壓為1.8V,2.5V和3.3V的元件,而形成一個彈性的製程設計平台。此技術的設計規則、規格及SPICE模型已完備。55納米低漏電/超低功耗技術和65納米低漏電技術重要的單元庫已完備。

特點

工藝組件選擇

標準工藝元件選擇

55 納米低漏電器件

65 納米低漏電器件

核心器件

(1.2V)

ULL

HVt

SVt

LVt

 

 

輸入輸出器件

1.8V

2.5V

3.3V

2.5V 超載 3.3V

2.5V 低載 1.8V

 

記憶體

單端高密度靜態記憶體

單端高性能靜態記憶體

雙端高密度靜態記憶體

雙端高性能靜態記憶體

0.425μ㎡

0.502μ㎡

0.789μ㎡

0.938μ㎡

0.525μ㎡

0.620μ㎡

0.974μ㎡

1.158μ㎡

 

應用產品

中芯國際55納米邏輯產品主要面向高性能、低功耗的應用場景,如移動應用和無線應用。

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    澳洲时时彩 移動應用

  • 無線應用

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