65纳米/55纳米

65纳米/55纳米

技术简介

澳洲时时彩中芯国际65纳米/55纳米逻辑技术具有高性能,节能的优势,可以增加先进技术成本的优化及设计成功的可能性。此65纳米/55纳米技术的工艺元件选择包含低漏电和超低功耗技术平台。此两种技术平台都提供三种阈值电压的元件以及输入/输出电压为1.8V,2.5V和3.3V的元件,而形成一个弹性的制程设计平台。此技术的设计规则、规格及SPICE模型已完备。55纳米低漏电/超低功耗技术和65纳米低漏电技术重要的单元库已完备。

特点

 

澳洲时时彩55/65纳米工艺组件选择:

标准工艺组件选择

55 纳米低漏电器件

65 纳米低漏电器件

核心器件

(1.2V)

ULL

HVt

SVt

LVt

 

 

输入输出器件

1.8V

2.5V

3.3V

2.5V 超载 3.3V

2.5V 低载 1.8V

 

内存

单端高密度静态内存

单端高性能静态内存

双端高密度静态内存

双端高性能静态内存

0.425μ㎡

0.502μ㎡

0.789μ㎡

0.938μ㎡

0.525μ㎡

0.620μ㎡

0.974μ㎡

1.158μ㎡

 

应用产品

中芯国际55纳米逻辑产品主要面向高性能、低功耗的应用场景,如移动应用和无线应用。

  • 澳洲时时彩 移动应用

  • 无线应用

678彩票 乐娱彩票 M5彩票登陆 金凤凰彩票 58彩票 如意彩票 热购彩票官网 福星彩票网